Физика деградации мощных светодиодов во внешней среде и роль фосфора в процессе деградации

1. Исследование стадии восстановления просвета в светодиодах
2. Сравнение деградации светодиодов при испытании на МЕТ и других испытаниях с одинарным или двойным напряжением...

Процент ухудшения яркости в зависимости от времени для синих светодиодов, проверенных при включенном и выключенном питании, и белых светодиодов, проверенных только при включенном питании, показаны в рисунок 1 , Белые светодиоды при выключенном питании не испытывали значительного ухудшения во время теста. Рисунок 1: Процент ухудшения просвета в зависимости от времени тестирования для синих и белых светодиодов, протестированных в различных условиях эксплуатации.

( а ) синие светодиоды в состоянии включения питания; ( б ) синие светодиоды в состоянии отключения; и ( c ) белые светодиоды в состоянии включения питания. Красная линия (пунктирная линия) обозначает начальную деградацию; зеленая линия (пунктирная линия) указывает на восстановление просвета, а синяя линия (сплошная линия) указывает на окончательную деградацию светодиодов.

Время деградации просвета можно разделить на 3 этапа, как показано в рисунок 1 , Первая стадия - это начальная стадия деградации, когда влага, поступающая в силиконовую капсулирование, считается основной причиной деградации просвета. 4 , Вторая стадия - это стадия восстановления, на которой процентная деградация просвета быстро падает после начальной деградации. Причина такого восстановления просвета будет исследована во втором подразделе. Третий этап - это окончательный этап постоянной деградации из-за длительного тестирования. Длительности каждого из 3 этапов для синих и белых светодиодов при различных условиях тестирования приведены в таблице в Таблица 2 ,

Синие светодиоды в состоянии ВКЛ ухудшаются до 12 процентов (в первые 24 часа) на начальной стадии деградации, тогда как они ухудшаются только до 7,5 процента (в первые 24 часа), когда они находятся в состоянии ВЫКЛ. Синие светодиоды показывают процент восстановления дегенерации люмена через первые 24 часа как при включенном, так и при выключенном состоянии. В состоянии ВКЛ синие светодиоды показывают восстановление до 7,5% ухудшения люмена, тогда как в состоянии ВЫКЛ они могут восстановиться до 1% в течение следующих 24 часов тестирования. После стадии восстановления светодиоды снова начинают деградировать. На этом этапе синие светодиоды в состоянии ВКЛ показывают 30-процентное ухудшение просвета через 356 часов, в то время как до 12 процентов в случае состояния ВЫКЛ через 336 часов.

Белые светодиоды в состоянии ВКЛ не показывают стадию восстановления, но постоянно ухудшаются и достигают 33-процентного ухудшения люмена за 144 часа, и поэтому мы прекращаем тестирование белых светодиодов после 144 часов испытаний в соответствии со стандартом ASISST. 10 который устанавливает наибольшую приемлемую деградацию просвета в 30%. Это показывает отрицательное влияние люминофора на белые светодиоды по сравнению с их синими светодиодами в условиях окружающей среды. Считается, что избыточное накопление тепла из-за люминофора в белых светодиодах является причиной более высокого процентного ухудшения просвета, чем у синих, так как разница между синим и белым светодиодами заключается только в наличии люминофора, и было показано, что этот люминофор может давать дополнительное тепло во время преобразования 11 , Действительно, в последнее время предпринимаются некоторые усилия для улучшения теплового эффекта люминофора, используемого в светодиодах, такого как размещение слоя люминофора и т. Д. 12 ,

С другой стороны, при отключенном питании белые светодиоды испытывают почти нулевой процент люмена, в то время как синие светодиоды испытывают 12% люмен после 336 часов испытаний, как показано на Таблица 2 , Разница в наблюдаемой деградации обусловлена ​​гораздо более коротким временем испытания белых светодиодов. Конечно-элементный анализ диффузии влаги в светодиодные пакеты, как это делалось ранее 6 может дать гораздо более четкое объяснение, как показано в Рис. 2 ,

Рисунок 2: Количество проникновения влаги в светодиодную упаковку и присоединение матрицы во время испытаний после испытания в состоянии ВЫКЛ.

На рисунке мы видим, что влага впитывается в герметик в начале. Приблизительно через 132 часа содержание влаги в герметизирующем наполнителе насыщается, и влага начинает поступать в материал для прикрепления фильеры, и до 132 часов количество влаги в материале для прикрепления фильеры является очень низким. По мере того, как влага продолжает поступать в материал для крепления матрицы, происходит расслоение на месте крепления матрицы, и это увеличивает термическое сопротивление кости и значительно уменьшает выход в просвете, как сообщали Тан и Сингх. 7 , Расслоение при прикреплении матрицы начинается примерно через 150 часов, как видно на Рис. 2 , Поэтому для белых светодиодов наблюдается очень небольшая деградация просвета, так как материал для крепления матрицы все еще остается хорошим, и тепло, выделяемое из люминофора во время испытания просвета, также может помочь испарению некоторой влаги в герметике. В результате не наблюдается значительной деградации просвета. С другой стороны, для синих светодиодов, испытанных в течение 336 часов, расслаивание присоединения матрицы уже произошло, и что влажность в присоединении матрицы не может испаряться во время испытаний 6 это приводит к значительному ухудшению просвета, как это наблюдалось. Общее количество влаги в синих светодиодах на 40% больше, чем в белых светодиодах, и все эти 40% находятся в материале крепления матрицы.

От Таблица 2 Очевидно, что светодиоды в состоянии включения ухудшаются с большей скоростью, чем те, которые находятся в состоянии отключения, как и ожидалось. Чтобы понять механизмы, лежащие в основе увеличения деградации просвета в процентах, как показано в рисунок 1 и чтобы изучить влияние присутствия люминофора в белых светодиодах, мы рассмотрим структуру тестируемых светодиодов, как показано на Рис. 3 ,

Для механической защиты светодиоды состоят из литой части (представленной в виде литого корпуса в Рис. 3 ), которая содержит весь светодиодный пакет, включая светодиодный чип (также известный как светодиодная матрица), герметизацию, свинцовую раму и радиатор. Радиатор не виден в Рис. 3 поскольку он встроен в формовочную деталь под светодиодной микросхемой и прикреплен к светодиодной микросхеме с помощью крепления матрицы (также известного как прикрепление матрицы, как показано на Рис. 3 ). Эта формовочная деталь состоит из твердого силикона, в то время как капсула светодиодного чипа выполнена из силиконовой резины, как показано на Рис. 3 13 , Эта литьевая деталь функционирует в качестве источника отражателя для повышения общей светоотдачи светодиодов, одновременно обеспечивая защиту внутреннего светодиодного чипа от воздействия окружающей среды и механических нагрузок. Силиконовая капсула функционирует как линза для направления светового луча, а также обеспечивает защиту светодиодного чипа от внешних воздействий, таких как пыль и влага.

Согласно данным OSRAM, полидиметилсилоксан и фенилсилоксаны смешиваются в разных концентрациях для превращения силикона в различные формы. 13 , Из-за разницы в концентрации материалов для формовочной части и герметизирующего силикона они имеют разный коэффициент теплового расширения 14 , 15 , Тепловые характеристики формовочной детали и герметика измеряются с помощью дилатометра NETZSCH DIL 402 PC, как показано на Рис. 4 ,

Во время теста температура в камере достигает 85 ° C, а при включении светодиодов внутренняя температура светодиодов может достигать 135 ° C, как указано в техническом описании OSRAM. 16 , При такой высокой температуре во время испытаний светодиодная литьевая деталь и герметизирующая резина подвергаются расширению, а герметик герметизируется на 97,5% больше, чем литьевая деталь при температуре 135 ° C.

Различия в тепловых расширениях формовочной детали и герметика создают дифференциальные термомеханические напряжения, возникающие между двумя материалами, которые приводят к расслоению, то есть пустотам или трещинам на границе раздела между формовочной деталью и герметизацией. Эти трещины видны под оптическим микроскопом высокого разрешения, как показано на Рис. 5 (а, б) соответственно для синих и белых светодиодов. Эти трещины и расслоение, в свою очередь, являются путем диффузии влаги в светодиодах, что приводит к ухудшению просвета.

Изображения с оптического микроскопа, показывающие расслаивание, вызванное разницей в тепловом расширении при 5-кратном увеличении в ( b ) белых светодиодах и ( в ) синих светодиодах по сравнению с ( а ) свежими светодиодами.

Для дальнейшего подтверждения того, что наблюдаемое расслоение действительно является причиной ухудшения качества, один образец из каждого набора с максимальным снижением прямого напряжения (Vf) выбран для исследования C-SAM. Рисунок 6 показывает типичные кривые IV белого и синего светодиодов, протестированных в различных условиях. Максимальное снижение прямого напряжения выбрано в качестве критерия выбора, поскольку при постоянном токе уменьшение прямого напряжения светодиода указывает на ухудшение теплового сопротивления чипа светодиода из-за отслоения, приложенного к матрице. 7 ,

Кривые IV для ( а ) белого и ( б ) синих светодиодов при различных условиях испытаний.

Как восстановление деградации наблюдается во время испытаний MET (как показано в рисунок 1 ), два дополнительных блока синих светодиодов при включенном и выключенном состояниях соответственно выбираются для наблюдения эффекта теста MET до восстановления. Те же образцы также выбираются для проверки их возможного расслаивания во время испытаний с использованием C-SAM. Условия испытаний, которым подвергались эти шесть образцов, и обоснование их выбора показаны в Таблица 3 ,

Сканирующая акустическая микроскопия (SAM) используется для проверки расслоения на границе раздела литьевой детали и герметизации. SAM - это неразрушающая микроскопия, которая использует сверхвысокочастотную звуковую волну для захвата изображений трещин, расслоений и пустот, присутствующих в устройстве. 17 , Режим C-SAM используется для обнаружения пустот и расслоения в пакете светодиодов для выбранных светодиодов. Область крепления светодиодной матрицы может быть легко идентифицирована квадратом в центре пакета светодиодов в Рис. 7 ,

Рисунок 7: Изображения C-SAM, показывающие расслаивание на границе раздела между силиконовой и литьевой частью белых светодиодов.

Красная область показывает, где возникают трещины, когда образцы подвергаются воздействию высоких температур. Левое изображение показывает свежее изображение C-SAM светодиода, а правое - изображение ухудшенного светодиода C-SAM (образец 1 в Таблица 3 ). Область прикрепления матрицы может быть легко идентифицирована квадратом точно в центре пакета светодиодов.

В случае белых светодиодов при включенном питании, изображения C-SAM ясно показывают расслаивание, вызванное на границе раздела между силиконовой и литьевой частями, что представлено красными областями на Рис. 7 (б) , Красные области показывают, где возникают трещины / расслоение, когда образцы подвергаются воздействию высоких температур. С другой стороны, нет расслоения для светодиодов в состоянии ВЫКЛ или свежих светодиодов, как видно на Рис. 7 (а) , объясняя отсутствие ухудшения для белых светодиодов в состоянии ВЫКЛ. Это показывает, что расслоение является причиной ухудшения просвета белых светодиодов в состоянии включения питания, и именно внутреннее тепловыделение приводит к этому расслоению.

В случае синих светодиодов при включенном состоянии расслаивание аналогично случаю белых светодиодов при включенном состоянии, что четко наблюдается в Рис. 8 , Сравнение Рис 7 а также 8 Можно видеть, что расслаивание в синем светодиоде является более значительным, чем белые светодиоды, так как красная область больше. Это связано с более длительным временем тестирования синих светодиодов, которое составляет 356 часов, по сравнению с белыми светодиодами, которое составляет всего 144 часа. С другой стороны, состояние синих светодиодов в состоянии ВЫКЛ не показывает видимого расслоения, что снова указывает на то, что именно внутреннее тепло, генерируемое микросхемой, вызывает расслоение.

Рисунок 8: Изображения C-SAM, показывающие расслаивание на границе раздела между силиконом и формовочной частью деградированного синего светодиода.

Красная область показывает, где возникают трещины / расслоение, когда образцы подвергаются воздействию высоких температур. Левое изображение показывает свежее изображение C-SAM светодиода, а правое - изображение ухудшенного светодиода C-SAM (пример 3 в Таблица 3 ). Область прикрепления матрицы может быть легко идентифицирована квадратом точно в центре пакета светодиодов.

Анализ методом конечных элементов используется для количественного понимания предлагаемых нами механизмов. Программное обеспечение ANSYS используется для анализа методом конечных элементов. Рисунок 9 представляет структуру светодиодов, используемую для моделирования ANSYS после создания сетки. Одна четвертая светодиодная структура используется для простоты проверки.

Для моделирования светодиода при включенном питании температура, применяемая на внешнем корпусе, составляет 85 ° C, а температура светодиодного чипа составляет 135 ° C, как упоминалось ранее. Для симуляции светодиода в состоянии выключенного питания температура на наружном корпусе такая же, как и в состоянии включения питания, но температура на внутреннем корпусе светодиода не подается. Таблица 4 показывает параметры материалов, используемых в конечно-элементном анализе 5 ,

Таблица 4: Тепловые и механические свойства материалов, используемых при анализе методом конечных элементов.

Распределение механических напряжений и напряжений фон Мизеса в структуре СИД в двух вышеупомянутых условиях, как показано на Рис. 10 ,

Рисунок 10

Сравнение механического напряжения в ( a ) светодиоде в состоянии «включено» и ( b ) светодиоде в состоянии «выключено», а von пропускает напряжение в светодиоде ( c ) в состоянии «включено» и ( d ) светодиод в состоянии «выключено».

Это хорошо видно из Рис. 10 (а, б) эта максимальная механическая нагрузка находится на границе раздела между светодиодной микросхемой и герметиком для светодиода при условии включения питания, и она находится на внешней поверхности герметика для светодиода в состоянии выключения питания из-за внешней температуры. Механическая нагрузка, присутствующая на границе раздела между герметиком и литьевой деталью, также весьма значительна для светодиода при условии включения питания. При более внимательном рассмотрении их значений, обобщенных в Таблица 5 Мы можем видеть, что максимальная механическая деформация и напряжения фон Мизеса на границе раздела чип / герметик и герметизирующий / формовочный элемент для светодиодов в состоянии включения питания значительно больше, чем для светодиодов в состоянии отключения питания. Кроме того, для светодиода, находящегося в состоянии выключенного питания, максимальное напряжение пропускаемого напряжения присутствует на внешнем крае медного радиатора, который находится очень далеко от вышеупомянутых интерфейсов. Таким образом, можно сделать вывод, что светодиоды в состоянии ВКЛ являются более восприимчивыми к расслаиванию герметика из кристалла СИД и формующей детали, и это расслаивание приводит к зазору, который позволяет влаге легко проникать в упаковку. Эти результаты точно соответствуют результатам, полученным с помощью оптического микроскопа и C-SAM.

Приведенные выше результаты также согласуются с результатами наших электрических измерений, которые обобщены в Рис. 6 , Для образцов проводят внутривенные измерения, чтобы сравнить электрические характеристики светодиодов, испытанных в различных условиях. Все ухудшенные образцы испытывают снижение своих прямых напряжений, как показано на Рис. 6 , Это объясняется следующим образом.

Из-за расслаивания на границе раздела литьевой детали и герметизации влага быстро достигает места присоединения светодиодов при включенном питании. Это привело к расслаиванию присоединения чип-матрицы и, таким образом, увеличивает их тепловое сопротивление, и, следовательно, наблюдается снижение их прямых напряжений для всех деградированных светодиодов в состоянии включения питания.

Для дальнейшей количественной оценки влияния влаги и температуры на электрические характеристики светодиодных чипов в этом тесте МЕТ, коэффициент идеальности (n), последовательное сопротивление (Rs) и обратный ток насыщения ( I s ) pn-перехода каждого протестированного чипа рассчитывается с использованием метода извлечения параметров на основе интеграции, разработанного Tan et al . 4 , 7 , 18 , Эти параметры предоставляют полезную информацию относительно упакованных мощных светодиодов, протестированных в различных условиях. 20 , 21 , Результаты сведены в таблицу в Таблицы 6 а также 7 для белых и синих светодиодов соответственно.

Таблица 6: Сводка значений n, Rs и Is для протестированных упакованных белых светодиодов.Таблица 7: Сводка значений n, Rs и Is для протестированных упакованных синих светодиодов.

Коэффициент идеальности pn-перехода является мерой уровня инжекции носителя через переход 22 , Установлено, что вычисленные коэффициенты идеальности для соединения в светодиодах составляют от 3,1 до 4, что находится в пределах допустимого диапазона, о котором сообщалось, 2,0–7,0. 4 , В PN-переходе обратный ток насыщения I s обусловлен диффузионным потоком неосновных электронов с p-стороны на n-сторону и минорных отверстий с n-стороны на p-сторону. Следовательно, обратный ток насыщения зависит от коэффициента диффузии электронов и дырок, а также от энергетического барьера на стыке для носителей. Значение I очень мало, и, следовательно, любое небольшое изменение электрических характеристик чипа приведет к значительному изменению его значения, что сделает его наиболее чувствительным индикатором деградации чипа. Его значение не измеряется, но определяется по специальному алгоритму, как описано в работе. 18 , Этот алгоритм был успешно использован во многих приложениях, как показано в ссылках 4 , 7 , 18 а также 19 ,

Когда pn-переход шунтируется из-за возможного ионного загрязнения или влаги, образуется электрический путь, и, таким образом, ток может протекать через этот путь под обратным смещением, увеличивая значение I s . Таким образом, увеличение значения I s только, то есть значения n и R s существенно не меняются, представляет собой формирование шунтирующего пути через pn-переход.

Как видно из Таблицы 6 а также 7 , для белых светодиодов не наблюдается изменения порядка величин n, Is и Rs при включении и выключении питания, что указывает на отсутствие неисправности, связанной с микросхемой светодиодов в этом случае. Это можно объяснить следующим образом.

В случае белых светодиодов при включенном питании, поскольку поглощение света слоем люминофора также является источником тепловыделения в светодиодах 23 , 24 , 25 влага, поступившая в упаковку путем расслаивания на границе раздела герметизирующая / литьевая деталь, отводится внутренним теплом от слоя люминофора, не оставляя влагу, достигающую чипа, и, следовательно, значение I s не изменяется. Это показывает, что слой люминофора, используемый для преобразования синего света в желтый свет в белых светодиодах, действительно защищает светодиодный чип от деградации из-за влаги в тесте MET. С другой стороны, более высокое внутреннее тепло от микросхемы и люминофора в белых светодиодах приводит к более сильной деградации корпуса светодиодов, чем синие светодиоды.

С другой стороны, это не касается синих светодиодов. Мы видим, что значение Is значительно уменьшается при включении питания, в то время как его значение значительно возрастает при отключении питания. Например, I s уменьшается в 1000 раз для синих светодиодов, протестированных при включенном состоянии в течение 365 часов, в то время как его значения n и Rs изменяются незначительно. Это может быть связано с наличием ионного загрязнения в соединении в свежих светодиодах, и входящая влага, которая достигает соединения, растворяет загрязнение. Тем не менее, высокая температура перехода светодиодов при включенном питании испаряет влагу из светодиодного перехода, что, в свою очередь, также удаляет загрязнения, растворенные во влаге, тем самым уменьшая ток обратной утечки на переходе. C-SAM изображения в Рис. 8 четко проверьте наличие влаги в параметре светодиодной микросхемы для синего светодиода в состоянии ВЫКЛ, тогда как для светодиодной микросхемы в состоянии ВКЛ. С другой стороны, когда синие светодиоды находятся в состоянии отключения питания, влага достигает периметра светодиода и остается там из-за недостатка тепла, которое может испарять влагу. Таким образом, светодиодная микросхема защищена от входящей влаги при включенном питании, но это тепло также влияет на материалы для крепления матрицы, а также на окружающие упаковочные материалы, что приводит к большей деградации просвета по сравнению с синим светодиодом в состоянии ВЫКЛ. Снижение Vf в Рис. 6 (б) является четким показателем увеличения теплового сопротивления светодиодов, тестируемых при включенном питании.

Исследование стадии восстановления просвета в светодиодах

Чтобы исследовать проникновение влаги в пакеты синих светодиодов при включенном состоянии, светодиоды до периода восстановления, то есть тестируются только в течение 24 часов и после периода восстановления (тестируются до конца теста), исследуются с использованием C-SAM. Для начальной стадии деградации, как показано в Рис. 11 (а) очень слабое расслоение видно по сравнению со светодиодами после полного тестирования в Рис. 11 (б) , Это показывает, что первоначальная деградация происходит из-за влаги, захваченной силиконовой капсулированием, как показано Tan et al . 4 тогда как более поздняя процентная деградация просвета происходит из-за большого количества влаги, проникающей через этот зазор, созданного на границе раздела между силиконовой оболочкой и формовочной деталью, что приводит к различным стадиям деградации, как показано Tan et al . 7 ,

Рисунок 11: Изображения C-SAM для сравнения синих светодиодов до и после стадии восстановления.

Красные области показывают, где возникают трещины / расслоение, когда образцы подвергаются воздействию высокой температуры и влажности. Изображение слева показывает изображение C-SAM синего светодиода, протестированное в течение 24 часов, а изображение справа - изображение C-SAM синего светодиода, протестированное в течение 356 часов. Область прикрепления матрицы может быть легко идентифицирована квадратом точно в центре пакета светодиодов.

Чтобы проверить влияние проникновения влаги в пакеты светодиодов, изображения C-SAM для светодиодов, перевернутых вверх дном (т. Е. Объектив направлен вниз), взяты для синих светодиодов при включенном состоянии до восстановления и после полного испытания. Маленькие черные точки на изображениях C-SAM представляют собой небольшие пустоты (захваченные пузырьки) на интерфейсе формовочной детали / головки матрицы и интерфейса присоединения светодиодного чипа / матрицы. Область прикрепления матрицы может быть легко идентифицирована квадратом в центре пакета светодиодов в Рис. 12 ,

C-SAM перевернутого синего светодиода ( а ) до начальной деградации (испытано в течение 24 часов) и ( b ) после окончательной деградации (проверено в течение 356 часов). После тестирования в течение 356 часов интерфейс присоединения матрицы со светодиодным чипом полностью почернел, тогда как область вне светодиодного чипа не была затемнена. Область прикрепления матрицы может быть легко идентифицирована квадратом точно в центре пакета светодиодов.

Вся поверхность крепления матрицы заполнена черными точками из-за пустот, создаваемых влагой для синих светодиодов при включенном питании после завершения теста, как показано на Рис. 12 (а) , Это показывает, что зазор, созданный на границе раздела между формовочной деталью и герметизирующей оболочкой, позволяет большому количеству влаги проникать через крепление матрицы и достигать его, а также верхней поверхности светодиодной матрицы, что приводит к увеличению процентного ухудшения просвета. Это соответствует результатам, показанным в Таблица 7 для синих светодиодов, где I s уменьшается в 1000 раз, как объяснено ранее, однако для светодиодов, протестированных только до 24 часов, т.е. до периода восстановления, наблюдается только 10-кратное уменьшение значения I s . Это большое изменение значений I s указывает на то, что влага испаряется со светодиодного чипа из-за высокой температуры перехода, поскольку испытания продолжаются, улучшая значения I s . Поскольку высокая температура соединения также приводит к расслаиванию крепления матрицы из-за дифференциального теплового расширения между чипом и материалом крепления матрицы, напряжение фон Мизеса здесь максимально, как показано на Рис. 10 крепление матрицы поглощает большую часть влаги, поступающей из зазора, образованного между формующей деталью и герметиком, поскольку это единственный доступный путь проникновения влаги, и это уменьшает количество влаги, присутствующей в герметике. Таким образом, свет от светодиодного чипа меньше рассеивается влагой в герметизаторе, и восстановление после разрушения просвета наблюдается после первоначального разрушения просвета в течение первых 24 часов.

Сравнение деградации светодиодов при испытании на МЕТ и других испытаниях с одинарным или двойным напряжением

Были проведены обширные исследования надежности светодиодов высокой мощности, но большинство из них проводились с использованием эффекта одиночного или двойного напряжения на светодиодах. Как правило, одиночное напряжение - это либо электрическое напряжение, либо напряжение рабочей температуры, а двойное напряжение может быть комбинацией электрического напряжения при испытаниях при высокой температуре или высокой температуре и влажности. Режимы отказов и механизмы отказов, связанные с этими одиночными, двойными и тройными напряжениями на светодиодах, суммированы в Таблица 8 ,

Таблица 8: Сводка режимов отказов и механизмов отказов, связанных с этими одиночными, двойными и тройными напряжениями на светодиодах.

От Таблица 8 Мы можем видеть различия в механизмах отказа светодиодов при испытаниях при разных напряжениях. Например, светодиоды испытывали быстрое ухудшение светоотдачи из-за потемнения белой силиконовой отражающей части устройства и отсоединения герметика от формовочной части, что создавало широкий и легкий путь проникновения влаги внутрь пакета СИД и создавало дальнейшее повреждение СИД при МЕТ. тестовое задание. Этот механизм отказа является уникальным для теста MET, и он показывает, что для оценки надежности светодиодов при различных условиях эксплуатации, в зависимости от их применений, должны проводиться разные тесты надежности. Например, для использования светодиодов в помещении может быть достаточно только электрического испытания, если включен хороший радиатор; если теплоотвод плохой, то подойдет электрическое и тепловое испытание. Однако для наружного использования необходим MET, а также может потребоваться температура-влажность в период, когда светодиоды не включены, например, утром. В таких приложениях, как морские и автомобильные, светодиоды будут сталкиваться со всеми тремя факторами стресса: высокой температурой, влажностью и электрическим напряжением одновременно, когда светодиоды включены, и потребуется тест MET. Тест MET может помочь индустрии светодиодов понять новые механизмы отказа светодиодов при использовании на открытом воздухе или в жестких условиях.

Похожие